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Samsung Semiconductor K4B8G1646Q-MCMA
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K4B8G1646Q-MCMA
2107-K4B8G1646Q-MCMA
存储器
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大陆
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K4B8G1646Q-MCMA详情
Samsung Semiconductor K4B8G1646Q-MCMA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Automotive
无
PPAP
无
DRAM Type
DDR3 SDRAM
Chip Density (bit)
8G
Number of Internal Banks
8
Number of Words per Bank
32M
Number of Bits/Word (bit)
16
Data Bus Width (bit)
16
Minimum Operating Supply Voltage (V)
1.425
Typical Operating Supply Voltage (V)
1.5
Maximum Operating Supply Voltage (V)
1.575
零件状态
Obsolete
组织结构
512Mx16
K4B8G1646Q-MCMA拓展信息
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Samsung Semiconductor
公司资质
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