Samsung Semiconductor K4D55323QF-VC2A
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K4D55323QF-VC2A
2107-K4D55323QF-VC2A
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DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
1最小包装量--
K4D55323QF-VC2A详情
Samsung Semiconductor K4D55323QF-VC2A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
144
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
FBGA, BGA144,12X12,32
Access Time-Max
0.55 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
350 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
FBGA
Package Equivalence Code
BGA144,12X12,32
Package Shape
SQUARE
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B144
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
组织结构
8MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
GDDR1 DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
4
K4D55323QF-VC2A拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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