Samsung Semiconductor K4E160812D-FL60
- 收藏
- 对比
K4E160812D-FL60
2107-K4E160812D-FL60
存储器
--
大陆
立即发货

Description: EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
1最小包装量--
K4E160812D-FL60详情
Samsung Semiconductor K4E160812D-FL60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
TSOP
Package Description
TSOP2, TSOP28,.34
Access Time-Max
60 ns
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Equivalence Code
TSOP28,.34
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
2MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0002 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
2048
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
YES
长度
18.41 mm
宽度
7.62 mm
K4E160812D-FL60拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor







哦! 它是空的。