Samsung Semiconductor K4H510438F-HCCC
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K4H510438F-HCCC
2107-K4H510438F-HCCC
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DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60,
1最小包装量--
K4H510438F-HCCC详情
Samsung Semiconductor K4H510438F-HCCC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
60
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Access Time-Max
0.65 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
134217728 words
Number of Words Code
128000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA60,9X12,40/32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.6 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.385 mA
组织结构
128MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
K4H510438F-HCCC拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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