Samsung Semiconductor K4H511638B-TCA2
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K4H511638B-TCA2
2107-K4H511638B-TCA2
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DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
1最小包装量--
K4H511638B-TCA2详情
Samsung Semiconductor K4H511638B-TCA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
66
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
TSOP2
Package Description
TSOP2, TSSOP66,.46
Access Time-Max
0.75 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm
K4H511638B-TCA2拓展信息
Samsung
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