Samsung Semiconductor K4H511638F-LCB3T
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K4H511638F-LCB3T
2107-K4H511638F-LCB3T
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DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
1最小包装量--
K4H511638F-LCB3T详情
Samsung Semiconductor K4H511638F-LCB3T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
66
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
Access Time-Max
0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.635 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.38 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR1 DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
K4H511638F-LCB3T拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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