Samsung Semiconductor K4M561633G-BF75
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K4M561633G-BF75
2107-K4M561633G-BF75
存储器
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Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
1最小包装量--
K4M561633G-BF75详情
Samsung Semiconductor K4M561633G-BF75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
VFBGA, BGA54,9X9,32
Access Time-Max
5.4 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
16777216 words
Number of Words Code
16000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
VFBGA
Package Equivalence Code
BGA54,9X9,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
11 mm
宽度
8 mm
K4M561633G-BF75拓展信息
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