Samsung Semiconductor K4M56163PG-BF75
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K4M56163PG-BF75
2107-K4M56163PG-BF75
存储器
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Description: Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
1最小包装量--
K4M56163PG-BF75详情
Samsung Semiconductor K4M56163PG-BF75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
FBGA, BGA54,9X9,32
Access Time-Max
6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
16777216 words
Number of Words Code
16000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
FBGA
Package Equivalence Code
BGA54,9X9,32
Package Shape
SQUARE
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B54
资历状况
不合格
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.075 mA
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4M56163PG-BF75拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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