Samsung Semiconductor K4M64163PH-RF75
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K4M64163PH-RF75
2107-K4M64163PH-RF75
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Description: Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
1最小包装量--
K4M64163PH-RF75详情
Samsung Semiconductor K4M64163PH-RF75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Package Shape
SQUARE
Package Equivalence Code
BGA54,9X9,32
Package Code
FBGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-25 °C
Operating Temperature-Max
70 °C
Number of Words Code
4000000
Number of Words
4194304 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Access Time-Max
6 ns
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B54
资历状况
不合格
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0003 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4M64163PH-RF75拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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