K4S281632C-NC1H
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Samsung Semiconductor K4S281632C-NC1H

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型号

K4S281632C-NC1H

utmel 编号

2107-K4S281632C-NC1H

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54

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K4S281632C-NC1H
K4S281632C-NC1H Samsung Semiconductor Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54

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K4S281632C-NC1H详情

Samsung Semiconductor K4S281632C-NC1H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    54

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Access Time-Max

    6 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    100 MHz

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    8388608 words

  • Number of Words Code

    8000000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TSSOP

  • Package Equivalence Code

    TSSOP54,.46,16

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 端子间距

    0.4 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G54

  • 资历状况

    不合格

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电流-最大值

    0.21 mA

  • 组织结构

    8MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.001 A

  • 记忆密度

    134217728 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    同步剧

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    1,2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    1,2,4,8

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技术文档: Samsung Semiconductor K4S281632C-NC1H.

K4S281632C-NC1H拓展信息

K4S281632O-LI75T00
K4S281632O-LI75T00

Samsung Semiconductor

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