Samsung Semiconductor K4S281632C-NC1H
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K4S281632C-NC1H
2107-K4S281632C-NC1H
存储器
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Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54
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K4S281632C-NC1H详情
Samsung Semiconductor K4S281632C-NC1H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
54
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Access Time-Max
6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP54,.46,16
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.4 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.21 mA
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4S281632C-NC1H拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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