Samsung Semiconductor K4S51323LC-MG1L
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K4S51323LC-MG1L
2107-K4S51323LC-MG1L
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Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
1最小包装量--
K4S51323LC-MG1L详情
Samsung Semiconductor K4S51323LC-MG1L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
90
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LFBGA, BGA90,9X15,32
Access Time-Max
7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Number of Words
16777216 words
Number of Words Code
16000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.28 mA
组织结构
16MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0015 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
15.5 mm
宽度
9.5 mm
K4S51323LC-MG1L拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor








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