Samsung Semiconductor K4S560832J-UC75T
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K4S560832J-UC75T
2107-K4S560832J-UC75T
存储器
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Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
1最小包装量--
K4S560832J-UC75T详情
Samsung Semiconductor K4S560832J-UC75T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
54
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
TSOP, TSOP54,.46,32
Access Time-Max
5.4 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP
Package Equivalence Code
TSOP54,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.11 mA
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4S560832J-UC75T拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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