Samsung Semiconductor K4S563233F-HN60
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K4S563233F-HN60
2107-K4S563233F-HN60
存储器
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
1最小包装量--
K4S563233F-HN60详情
Samsung Semiconductor K4S563233F-HN60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
90
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Access Time-Max
5.4 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
8388608 words
Number of Words Code
8000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
FBGA
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
8MX32
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4S563233F-HN60拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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