Samsung Semiconductor K4S641633D-GN96
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K4S641633D-GN96
2107-K4S641633D-GN96
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Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA52, CSP-52
1最小包装量--
K4S641633D-GN96详情
Samsung Semiconductor K4S641633D-GN96重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
52
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA52,6X13,30
Access Time-Max
6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
104 MHz
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA52,6X13,30
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
52
JESD-30代码
R-PBGA-B52
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.125 mA
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
11 mm
宽度
6.6 mm
K4S641633D-GN96拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor








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