Samsung Semiconductor K4S643233H-FE75
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K4S643233H-FE75
2107-K4S643233H-FE75
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Description: Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90
1最小包装量--
K4S643233H-FE75详情
Samsung Semiconductor K4S643233H-FE75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
90
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
FBGA, BGA90,9X15,32
Access Time-Max
6 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
2097152 words
Number of Words Code
2000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
FBGA
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.135 mA
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
K4S643233H-FE75拓展信息
Samsung
Samsung
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Samsung Semiconductor







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