K4S643233H-FE75
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Samsung Semiconductor K4S643233H-FE75

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型号

K4S643233H-FE75

utmel 编号

2107-K4S643233H-FE75

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90

起订量

1最小包装量--

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K4S643233H-FE75
K4S643233H-FE75 Samsung Semiconductor Description: Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90

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K4S643233H-FE75详情

Samsung Semiconductor K4S643233H-FE75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    90

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Package Description

    FBGA, BGA90,9X15,32

  • Access Time-Max

    6 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    133 MHz

  • Number of Words

    2097152 words

  • Number of Words Code

    2000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -25 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    FBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA90,9X15,32

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B90

  • 资历状况

    不合格

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电流-最大值

    0.135 mA

  • 组织结构

    2MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    32

  • 待机电流-最大值

    0.0005 A

  • 记忆密度

    67108864 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    同步剧

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    1,2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    1,2,4,8

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技术文档: Samsung Semiconductor K4S643233H-FE75.

K4S643233H-FE75拓展信息

K4S281632O-LI75T00
K4S281632O-LI75T00

Samsung Semiconductor

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