K4T1G084QJ-BCE6T00
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Samsung Semiconductor K4T1G084QJ-BCE6T00

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型号

K4T1G084QJ-BCE6T00

utmel 编号

2107-K4T1G084QJ-BCE6T00

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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K4T1G084QJ-BCE6T00详情

Samsung Semiconductor K4T1G084QJ-BCE6T00重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • EU RoHS

    Compliant

  • ECCN (US)

    EAR99

  • Automotive

  • PPAP

  • DRAM Type

    DDR2 SDRAM

  • Chip Density (bit)

    1G

  • Number of Internal Banks

    8

  • Number of Words per Bank

    16M

  • Number of Bits/Word (bit)

    8

  • Data Bus Width (bit)

    8

  • Maximum Clock Rate (MHz)

    667

  • Maximum Access Time (ns)

    0.45

  • Address Bus Width (bit)

    17

  • Interface Type

    SSTL_1.8

  • Minimum Operating Supply Voltage (V)

    1.7

  • Typical Operating Supply Voltage (V)

    1.8

  • Maximum Operating Supply Voltage (V)

    1.9

  • Operating Current (mA)

    58

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    0

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    95

  • Supplier Temperature Grade

    Commercial

  • Number of I/O Lines (bit)

    8

  • Mounting

    表面贴装

  • Package Height

    0.53 + 0.1(Max)

  • Package Width

    7.5

  • Package Length

    9.5

  • PCB changed

    60

  • Standard Package Name

    BGA

  • Supplier Package

    FBGA

  • Lead Shape

    Ball

  • 零件状态

    活跃

  • 引脚数量

    60

  • 组织结构

    128Mx8

0个相似型号

K4T1G084QJ-BCE6T00拓展信息

K4S281632O-LI75T00
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