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Samsung Semiconductor K4T51163QQ-BCE7T00
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K4T51163QQ-BCE7T00详情
Samsung Semiconductor K4T51163QQ-BCE7T00重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
EU RoHS
供应商未确认
ECCN (US)
EAR99
Automotive
无
PPAP
无
DRAM Type
DDR2 SDRAM
Chip Density (bit)
512M
Number of Internal Banks
4
Number of Words per Bank
8M
Number of Bits/Word (bit)
16
Data Bus Width (bit)
16
Minimum Operating Supply Voltage (V)
1.7
Typical Operating Supply Voltage (V)
1.8
Maximum Operating Supply Voltage (V)
1.9
Mounting
表面贴装
Package Width
7.5
Package Length
12.5
PCB changed
84
Supplier Package
FBGA
零件状态
Obsolete
引脚数量
84
组织结构
32Mx16
K4T51163QQ-BCE7T00拓展信息
Samsung
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公司资质
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