Samsung Semiconductor K6E1004C1B-JC20
- 收藏
- 对比
K6E1004C1B-JC20
2107-K6E1004C1B-JC20
存储器
--
大陆
立即发货

Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
1最小包装量--
K6E1004C1B-JC20详情
Samsung Semiconductor K6E1004C1B-JC20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
SOJ
Package Description
SOJ, SOJ28,.44
Access Time-Max
20 ns
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOJ
Package Equivalence Code
SOJ28,.44
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
锡铅
附加功能
TTL COMPATIBLE I/O
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.118 mA
组织结构
256KX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.76 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
长度
18.42 mm
宽度
10.16 mm
K6E1004C1B-JC20拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor








哦! 它是空的。