Samsung Semiconductor K6F8008U2M-TF70
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K6F8008U2M-TF70
2107-K6F8008U2M-TF70
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Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
1最小包装量--
K6F8008U2M-TF70详情
Samsung Semiconductor K6F8008U2M-TF70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
44
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Package Code
TSOP2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
1000000
Number of Words
1048576 words
Access Time-Max
70 ns
Package Description
TSOP2, TSOP44,.46,32
Part Package Code
TSOP2
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
无
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035 mA
组织结构
1MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000006 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
宽度
10.16 mm
长度
18.41 mm
K6F8008U2M-TF70拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor








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