Samsung Semiconductor K6R1016V1D-UI08
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K6R1016V1D-UI08
2107-K6R1016V1D-UI08
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Description: Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44
1最小包装量--
K6R1016V1D-UI08详情
Samsung Semiconductor K6R1016V1D-UI08重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
44
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
TSOP, TSOP44,.46,32
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Package Code
TSOP
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
64000
Number of Words
65536 words
Moisture Sensitivity Levels
3
Access Time-Max
8 ns
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3 V
K6R1016V1D-UI08拓展信息
Samsung
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Samsung Semiconductor







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