Samsung Semiconductor K6T0808V1D-RD70
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K6T0808V1D-RD70
2107-K6T0808V1D-RD70
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28
1最小包装量--
K6T0808V1D-RD70详情
Samsung Semiconductor K6T0808V1D-RD70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
28
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
TSOP
Package Description
TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
Access Time-Max
70 ns
Number of Words
32768 words
Number of Words Code
32000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP1-R
Package Equivalence Code
TSSOP28,.53,22
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.55 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
反向引脚排列
YES
长度
11.8 mm
宽度
8 mm
K6T0808V1D-RD70拓展信息
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Samsung Semiconductor







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