Samsung Semiconductor K6X1008C2D-GF55T00

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

32

终端数量

32

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

EAR99

Automotive

无

PPAP

无

Chip Density (bit)

1M

Number of Words

128K

Number of Bits/Word (bit)

8

Data Rate Architecture

SDR

Address Bus Width (bit)

17

Timing Type

Asynchronous

Max. Access Time (ns)

55

Process Technology

CMOS

Minimum Operating Supply Voltage (V)

4.5

Typical Operating Supply Voltage (V)

5

Maximum Operating Supply Voltage (V)

5.5

Operating Current (mA)

25

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

85

Supplier Temperature Grade

Industrial

Mounting

表面贴装

Package Height

2.74

Package Width

11.43

Package Length

20.47

PCB changed

32

Standard Package Name

SOP

Supplier Package

SOP

Lead Shape

Gull-wing

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SOP, SOP32,.56

Package Style

小概要

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP32,.56

Operating Temperature-Min

-40 °C

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K6X1008C2D-GF55T00

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.92

包装

卷带

零件状态

Obsolete

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

工作电源电压

5 V

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

端口的数量

1

电源电流

25 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.025 mA

访问时间

55 ns

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

地址总线宽度

17 b

密度

1 Mb

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V