Samsung Semiconductor K6X8016T3B-TQ70
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K6X8016T3B-TQ70
2107-K6X8016T3B-TQ70
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
1最小包装量--
K6X8016T3B-TQ70详情
Samsung Semiconductor K6X8016T3B-TQ70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
44
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Package Description
TSOP, TSOP44,.46,32
Access Time-Max
70 ns
Number of Words
524288 words
Number of Words Code
512000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
温度等级
AUTOMOTIVE
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
512KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00008 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
K6X8016T3B-TQ70拓展信息
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Samsung Semiconductor







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