Samsung Semiconductor K7R323684M-FC16
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K7R323684M-FC16
2107-K7R323684M-FC16
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QDR SRAM, 1MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
1最小包装量--
K7R323684M-FC16详情
Samsung Semiconductor K7R323684M-FC16重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
LBGA, BGA165,11X15,40
Access Time-Max
0.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
166.66 MHz
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LBGA
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.6 mA
组织结构
1MX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.27 A
记忆密度
37748736 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
QDR SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
长度
17 mm
宽度
15 mm
K7R323684M-FC16拓展信息
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Samsung Semiconductor








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