Samsung Semiconductor K9F1216U0A-DIB0
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K9F1216U0A-DIB0
2107-K9F1216U0A-DIB0
存储器 - 模块
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Flash, 32MX16, 30ns, PBGA63, TBGA-63
1最小包装量--
K9F1216U0A-DIB0详情
Samsung Semiconductor K9F1216U0A-DIB0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
BGA
Package Description
VFBGA,
Access Time-Max
30 ns
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
CONTAINS ADDITIONAL 16M BIT NAND FLASH
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
2.7 V
长度
11 mm
宽度
9 mm
K9F1216U0A-DIB0拓展信息
Samsung Semiconductor
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