Samsung Semiconductor KM44V1000BLTR-7
- 收藏
- 对比
KM44V1000BLTR-7
2107-KM44V1000BLTR-7
存储器
--
大陆
立即发货

Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
1最小包装量--
KM44V1000BLTR-7详情
Samsung Semiconductor KM44V1000BLTR-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
20
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
TSOP
Package Description
TSOP2-R, TSSOP20/26,.36
Access Time-Max
70 ns
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2-R
Package Equivalence Code
TSSOP20/26,.36
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
20
JESD-30代码
R-PDSO-G20
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
1MX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
4194304 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
快速页面 DRAM
刷新周期
1024
访问模式
快速页面
反向引脚排列
YES
自我刷新
NO
长度
17.14 mm
宽度
7.62 mm
KM44V1000BLTR-7拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor








哦! 它是空的。