KM48V2104BK-L6
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Samsung Semiconductor KM48V2104BK-L6

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型号

KM48V2104BK-L6

utmel 编号

2107-KM48V2104BK-L6

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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KM48V2104BK-L6
KM48V2104BK-L6 Samsung Semiconductor Description: EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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KM48V2104BK-L6详情

Samsung Semiconductor KM48V2104BK-L6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    28

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Part Package Code

    SOJ

  • Package Description

    SOJ, SOJ28,.34

  • Access Time-Max

    60 ns

  • Number of Words

    2097152 words

  • Number of Words Code

    2000000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    SOJ

  • Package Equivalence Code

    SOJ28,.34

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    J BEND

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    28

  • JESD-30代码

    R-PDSO-J28

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.1 mA

  • 组织结构

    2MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    3.76 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.0003 A

  • 记忆密度

    16777216 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    EDO DRAM

  • 刷新周期

    2048

  • 访问模式

    FAST PAGE WITH EDO

  • 自我刷新

    YES

  • 长度

    18.42 mm

  • 宽度

    7.62 mm

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技术文档: Samsung Semiconductor KM48V2104BK-L6.

KM48V2104BK-L6拓展信息

K4S281632O-LI75T00
K4S281632O-LI75T00

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