Seme LAB D2205UK

包装/外壳

DP

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V to 7 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

25

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

TT Electronics

Brand

Semelab / TT Electronics

Id - Continuous Drain Current

6 A

Package Description

FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

D2205UK

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Risk Rank

5.12

Drain Current-Max (ID)

6 A

JESD-609代码

e4

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

GOLD

附加功能

低噪音

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

S-CDFM-F2

资历状况

不合格

工作频率

1 GHz

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

7.5 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

晶体管类型

DMOS FET

增益

10 dB

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段

产品类别

射频MOSFET晶体管

宽度

6.35 mm

高度

5.08 mm

长度

18.92 mm