Semelab D2225UK

包装/外壳

SOIC-8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Transistor Polarity

N-Channel

Id - Continuous Drain Current

4 A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Pd - Power Dissipation

17.5 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Vgs - Gate-Source Voltage

20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

0.5 V to 7 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

D2225UK

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Risk Rank

5.11

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

4 A

JESD-609代码

e4

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

GOLD

附加功能

低噪音

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-XDSO-G8

资历状况

不合格

工作频率

1 GHz

配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

输出功率

5 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

DMOS FET

增益

10 dB

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段