Sharp Microelectronics GP1S196HCZSF

包装/外壳

4-SMD

安装类型

Surface Mount, Gull Wing

底架

表面贴装

触点镀层

Copper, Tin

引脚数

4

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

包装

Tube

已出版

2006

操作温度

-25°C~85°C

JESD-609代码

e6

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

类型

Unamplified

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

功能数量

1

电路数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

30mA

回应时间

50μs, 50μs

上升时间

150μs

下降时间（典型值）

150 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.043 (1.1mm)

反向击穿电压

6V

波长

930 nm

感测方法

Through-Beam

槽宽-Nom

1.1mm

通态集电极电流标称

20mA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅