SHARP/Socle Technology GP1S196HCZ0F

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

包装

Tube

JESD-609代码

e2

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

功能数量

1

输出电压

35V

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

30mA

回应时间

50μs, 50μs

上升时间

150μs

下降时间（典型值）

150 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.043 (1.1mm)

反向击穿电压

6V

波长

930 nm

感测方法

Through-Beam

输入电流

20mA

槽宽-Nom

1.1mm

通态集电极电流标称

20mA

高度

2.7mm

长度

3.1mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅