Sharp Microelectronics GP1S51V

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

操作温度

-25°C~85°C

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-25°C

输出配置

Phototransistor

输出电流

20mA

回应时间

3μs, 4μs

上升时间

3μs

正向电压

1.25V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.118 (3mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

35V

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

50mA

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅