Sharp Microelectronics GP1S95J0000F

底架

通孔

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e2

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-25°C

功能数量

1

Reach合规守则

unknown

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

输出电流

20mA

光电子器件类型

晶体管输出槽式开关

正向电流

50mA

回应时间

35 μs

上升时间

100μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

100 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

1.6002 mm

反向击穿电压

6V

槽宽-Nom

1.6mm

通态集电极电流标称

0.05mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅