Sharp Microelectronics GP1S096HCZ0F

触点镀层

Copper, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e2

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

功能数量

1

输出电压

20V

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

输出电流

20mA

正向电流

50mA

回应时间

50μs, 50μs

上升时间

150μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

150 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.039 (1mm)

反向击穿电压

6V

感测方法

Through-Beam

输入电流

20mA

反向电压(直流电)

6V

槽宽-Nom

1mm

通态集电极电流标称

0.1mA

高度

2.9mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅