Sharp Microelectronics GP2S60A

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Number of Elements

1

操作温度

-25°C~85°C

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

5 (48 Hours)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-25°C

输出类型

Phototransistor

通道数量

1

功率耗散

100mW

正向电流

20mA

回应时间

20μs

上升时间

20μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.028 (0.7mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

35V

反向击穿电压

6V

感测方法

Reflective

最大击穿电压

35V

最大直流驱动电流（If）

50mA

反向电压(直流电)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅