SI8261BCC-C-IS
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Silicon Labs SI8261BCC-C-IS

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型号

SI8261BCC-C-IS

utmel 编号

2258-SI8261BCC-C-IS

商品类别

隔离器 - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC

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SI8261BCC-C-IS Silicon Labs 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC

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SI8261BCC-C-IS详情

Silicon Labs SI8261BCC-C-IS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 操作温度

    -40°C~125°C

  • 包装

    Tube

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 已出版

    1997

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 输出的数量

    2

  • 审批机构

    CQC, CSA, UR, VDE

  • 电压-隔离度

    3750Vrms

  • 输出电压

    250mV

  • 最大输出电流

    4A

  • 通道数量

    1

  • 最大电源电压

    30V

  • 最小电源电压

    5V

  • 元素配置

    Single

  • 电源电流

    2mA

  • 输出电流

    10mA

  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)

    2.8V Max

  • 传播延迟

    50 ns

  • 上升时间

    5.5ns

  • 下降时间(典型值)

    8.5 ns

  • 上升/下降时间(Typ)

    5.5ns 8.5ns

  • 接口IC类型

    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

  • 最大直流驱动电流(If)

    30mA

  • 接通时间

    0.06 µs

  • 传播延迟(最大延迟差)

    60ns, 50ns

  • 共模瞬态抗扰度(最小)

    35kV/μs

  • 高边驱动器

    NO

  • 关断时间

    0.05 µs

  • 脉宽失真(PWD)

    10 ns

  • 脉宽失真(最大值)

    28ns

  • 电压 - 输出电源

    13.5V~30V

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    4.8mm

  • 宽度

    3.8mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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