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1

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￥241.391981
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￥227.728288
500

￥214.838007
1000

￥202.677363

STMicroelectronics A1P50S65M2

Name: A1P50S65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-A1P50S65M2
Price: 255.88 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

A1P50S65M2

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-A1P50S65M2

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

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A1P50S65M2 STMicroelectronics IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

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A1P50S65M2详情

技术参数

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STMicroelectronics A1P50S65M2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
安装类型

底座安装
包装/外壳

Module
Current-Collector (Ic) (Max)

50A
操作温度

-40°C~150°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
基本部件号

A1P50S65
极性

NPN
配置

三相逆变器
功率 - 最大

208W
输入

Standard
最大集极截止电流

100μA
电压 - 集射极击穿（最大值）

650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 50A
IGBT类型

沟渠现场停车
NTC热敏电阻

有
输入电容(Cies)@Vce

4150pF @ 25V
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

A1P50S65M2拓展信息

热销零件