STMicroelectronics A2C35S12M3
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A2C35S12M3
2381-A2C35S12M3
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
--最小包装量--
A2C35S12M3详情
STMicroelectronics A2C35S12M3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
35A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
35
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
A2C35S12
JESD-30代码
R-XUFM-X35
配置
带制动器的三相逆变器
功率 - 最大
250W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
三相桥式整流器
最大集极截止电流
100μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大耗散功率(Abs)
250W
接通时间
170 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 35A
关断时间-标准值(toff)
364 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
2154pF @ 25V
VCEsat-最大值
2.45 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
A2C35S12M3拓展信息
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