STMicroelectronics STGE50NC60VD
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STGE50NC60VD
2381-STGE50NC60VD
晶体管 - IGBT - 模块
SOT-227-4, miniBLOC
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STMICROELECTRONICS STGE50NC60VD IGBT Single Transistor, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
--最小包装量--
STGE50NC60VD详情
STMicroelectronics STGE50NC60VD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw, Surface Mount
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
90A
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
140 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
PowerMESH™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
260W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
STGE50
引脚数量
4
配置
Single
功率耗散
260W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
43 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
17ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
最大集极截止电流
150μA
输入电容
4.55nF
最大击穿电压
600V
接通时间
61 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 40A
关断时间-标准值(toff)
247 ns
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
4.55nF @ 25V
高度
12.2mm
长度
38.2mm
宽度
24.15mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGE50NC60VD拓展信息
STMicroelectronics
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