STMicroelectronics IRF540FI
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IRF540FI
2381-IRF540FI
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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16A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
--最小包装量--
IRF540FI详情
STMicroelectronics IRF540FI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF540FI
Turn-on Time-Max (ton)
105 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Turn-off Time-Max (toff)
230 ns
Risk Rank
5.65
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
16 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
漏极-源极导通最大电阻
0.077 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
112 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
反馈上限-最大值 (Crss)
100 pF
环境耗散-最大值
40 W
IRF540FI拓展信息
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