STMicroelectronics IRF620

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

快速切换

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IRF6

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅