STMicroelectronics IRF644

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRF644

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Drain Current-Max (ID)

14 A

Risk Rank

5.07

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.28 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

550 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR