STMicroelectronics IRF730

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING

电压 - 额定直流

400V

额定电流

5.5A

基本部件号

IRF7

引脚数量

3

电压

400V

元素配置

Single

电流

55A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

5.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

漏源击穿电压

400V

反馈上限-最大值 (Crss)

65 pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅