IRFBC40
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STMicroelectronics IRFBC40

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型号

IRFBC40

utmel 编号

2381-IRFBC40

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IRFBC40 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from STMicroelectronics stock available at utmel

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IRFBC40详情

STMicroelectronics IRFBC40重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRFBC40

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Vishay Siliconix

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY SILICONIX

  • Risk Rank

    5.02

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    6.2 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    25 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    570 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: STMicroelectronics IRFBC40.

IRFBC40拓展信息

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