STMicroelectronics IRFP450
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IRFP450
2381-IRFP450
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
1最小包装量--
IRFP450详情
STMicroelectronics IRFP450重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
190W Tc
Turn Off Delay Time
170 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™ II
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
500V
额定电流
14A
基本部件号
IRFP
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
190W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
14A
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.38Ohm
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56A
雪崩能量等级(Eas)
800 mJ
反馈上限-最大值 (Crss)
200 pF
关断时间-最大值(toff)
210ns
接通时间-最大值(ton)
150ns
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IRFP450拓展信息
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