STMicroelectronics LET20030C
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LET20030C
2381-LET20030C
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
M243
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin Case M-243
1最小包装量--
LET20030C详情
STMicroelectronics LET20030C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
包装/外壳
M243
引脚数
3
Number of Elements
1
Usage Level
Military grade
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
108W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
额定电流
9A
频率
2GHz
基本部件号
LET20030
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDFM-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
400mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
75V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
80V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
45W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
噪声图
13.9 dB
电压-测试
28V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LET20030C拓展信息
STMicroelectronics
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