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STMicroelectronics LET20030C

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型号

LET20030C

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-LET20030C

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

M243

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin Case M-243

起订量

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LET20030C
LET20030C STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin Case M-243

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LET20030C详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics LET20030C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    Screw

  • 包装/外壳

    M243

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Usage Level

    Military grade

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    108W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 额定电流

    9A

  • 频率

    2GHz

  • 基本部件号

    LET20030

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    400mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    75V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    9A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    80V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • DS 击穿电压-最小值

    65V

  • 功率 - 输出

    45W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 噪声图

    13.9 dB

  • 电压-测试

    28V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics LET20030C.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & LET20030C相似的参数规格。

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公司资质

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