STMicroelectronics MTP3055E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP3055E

Turn-on Time-Max (ton)

165 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Turn-off Time-Max (toff)

145 ns

Risk Rank

5.19

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

12 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

12 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14 A

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

70 W

漏源电阻

150 mΩ

反馈上限-最大值 (Crss)

150 pF

环境耗散-最大值

70 W