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PD20015C
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STMicroelectronics PD20015C

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型号

PD20015C

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-PD20015C

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

M243

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243

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PD20015C
PD20015C STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243

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PD20015C详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics PD20015C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    Screw

  • 包装/外壳

    M243

  • 引脚数

    243

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    93W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 额定电流

    7A

  • 频率

    2GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    PD20015

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    93W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    350mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 增益

    11dB

  • 最大输出功率

    23W

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7A

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 功率 - 输出

    15W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    13.6V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics PD20015C.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & PD20015C相似的参数规格。

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