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PD55008-E
PD55008-E

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STMicroelectronics PD55008-E

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型号

PD55008-E

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-PD55008-E

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

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PD55008-E
PD55008-E STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

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PD55008-E详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics PD55008-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Usage Level

    Military grade

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 最高工作温度

    165°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 电压 - 额定直流

    40V

  • 最大功率耗散

    52.8W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    250

  • 额定电流

    4A

  • 频率

    500MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    PD55008

  • 引脚数量

    10

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    52.8W

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    150mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大输出功率

    8W

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 输入电容

    58pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    12.5V

  • 最小击穿电压

    40V

  • 功率增益

    17dB

  • 高度

    3.5mm

  • 长度

    7.5mm

  • 宽度

    9.4mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics PD55008-E.

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公司资质

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